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这也导致专家普遍认为，唱响实现高性能的非晶P型半导体和CMOS器件是一项几乎不可能完成的挑战。目前非晶P型半导体面临着重大挑战，奋勇严重阻碍了新型电子器件研发和大规模N-P互补金属氧化物半导体技术的进展。

争先该成果由中国电子科技大学和韩国浦项科技大学共同合作完成。传统氧化物半导体因高局域态价带顶和自补偿效应，好声导致空穴传输效率极差，难以满足应用需求。此外，上海这些材料还存在稳定性和均匀性等固有缺陷，且难以与现有工业制程工艺兼容。

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论文第一单位为电子科技大学基础与前沿研究院，争先电子科技大学基础与前沿研究院教授刘奥为论文第一作者和通讯作者。

中新社成都4月11日电(记者贺劭清)记者11日从电子科技大学获悉，好声中韩科研人员首创高迁移率稳定的非晶P型(空穴)半导体器件，好声突破该领域二十余年的研究瓶颈。（百度网站截图）时政评论员李林一此前对表示，上海中国留学生、学者们和中共的关系是美国官方审查的重点。

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